日前，中國科學院半導體研究所常凱研究組，提出利用表面極化電荷在傳統(tǒng)常見半導體材料GaAs/Ge中實現(xiàn)拓撲絕緣體相，通過第一性原理計算和多帶k.p理論成功地證明了GaAs/Ge極化電荷誘導的拓撲絕緣體相，這為拓撲絕緣體的器件應用又向前推進了一步。

　　中國科學院半導體研究所常凱研究組繼前期首次打破窄能隙和重元素的限制，在常見的半導體材料GaN/InN/GaN中發(fā)現(xiàn)拓撲絕緣體相，首次理論上提出利用表面極化電荷在常見半導體材料GaAs/Ge系統(tǒng)中實現(xiàn)拓撲絕緣體相。GaAs/Ge系統(tǒng)與GaN/InN/GaN系統(tǒng)相比不同的地方是，GaAs材料和Ge材料晶格常數(shù)匹配，更易于材料的生長。另外，GaAs/Ge是傳統(tǒng)的半導體材料，制造工藝成熟，更利于拓撲絕緣體器件的集成。該工作對在常見半導體中探索新的拓撲相，及其開展介觀輸運的研究具有重要的意義。